半導体単結晶

GaAs ガリウムヒ素


商品仕様
タイプ ノンドープ N型 / Si、Teドープ P型 / Znドープ
抵抗値


サイズ 5mm×5mm~10mm×10mm、φ2inch~φ4inch、その他
厚み 0.35mm、0.5mm、0.6mm、その他
方位 (100)、(110)、(111)、その他
表面仕上 片面鏡面、両面鏡面、その他
納期 メーカー在庫品は1~2週間
在庫切れや受注生産の場合は4~6週間 (別途お問い合わせ下さい)
備考

※その他の仕様はお問い合わせ下さい。

結晶物性
物質名 ガリウムヒ素
化学組成 GaAs
結晶構造  立方晶系閃亜鉛鉱型構造
格子定数  a = 4505Å
密度  5.310 g/cm3
融点  1238 ℃
育成方法  LED法、その他
銀色
純度  99.99%以上
硬度(モース)
劈開面
誘電率
誘電損失
誘電正接
透過波長域(μ)
屈折率
屈折率分散
熱膨張率
熱伝導度(W/(m.k) )

※結晶物性データは、結晶メーカーが公表しているものや理化学辞典などの文献から引用した数値です。
 保証値ではありませんので参照程度でお願いします。

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