Ge ゲルマニウム
Geの結晶系は立方晶、常温常圧での結晶構造はダイヤモンド構造の結晶です。
電子移動度が高いため次世代高速電子デバイス材料や宇宙用高効率III-V族太陽電池のボトムセルとして注目されています。
また光学用途では、2μより長波長域の赤外線を透過させるため、赤外用窓や赤外分光結晶として使用されます。
高純度のGeは赤外域用干渉フィルターの基板として、不純物をドープしたGeは光伝導型検知器として赤外域で用いられます。
| 商品仕様 | |||
|---|---|---|---|
| タイプ | ノンドープ | N型 / Sbドープ | P型 / Gaドープ |
| 抵抗値 | ＞ 40 Ωcm | 0.05 Ωcm | 0.05 - 0.1Ωcm |
| サイズ | 5mm×5mm～10mm×10mm、φ1inch～φ4inch、その他 | ||
| 厚み | 0.4mm～0.5mm、その他 | ||
| 方位 | (100)、(110)、(111)、その他 | ||
| 表面仕上 | 片面鏡面、両面鏡面、粗面 | ||
| 納期 | メーカー在庫品は1～2週間 在庫切れや受注生産の場合は約2ヶ月 (別途お問い合わせ下さい) |
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| 備考 |
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※その他の仕様はお問い合わせ下さい。
| 在庫・価格(税別)一覧表 | |||
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| 品名・規格 | 数量 | 単価 | 合計金額 |
| Ge基板 10×10×0.5mm (100) 片面鏡面 ノンドープ 抵抗値：40Ω･cm以上 |
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| Ge基板 φ2inch×0.5mm (100) 片面鏡面 ノンドープ 抵抗値：40Ω･cm以上 |
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| Ge基板 φ2inch×0.5mm (111) 片面鏡面 ノンドープ 抵抗値：40Ω･cm以上 |
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※価格は予告なく変更する場合がございます。
| 結晶物性 | |
|---|---|
| 物質名 | ゲルマニウム |
| 化学組成 | Ge |
| 結晶構造 | 立方晶系ダイヤモンド型構造 |
| 格子定数 | a = 5.6754Å |
| 密度 | 5.765 g/cm3 |
| 融点 | 937.4 ℃ |
| 育成方法 | ＣＺ法 |
| 色 | 濃青灰色 |
| 純度 | 99.99% |
| 硬度(モース) | 6.5 |
| 劈開面 | (110) |
| 誘電率 | |
| 誘電損失 | |
| 誘電正接 | |
| 透過波長域(μ) | |
| 屈折率 | |
| 屈折率分散 | |
| 熱膨張率 | |
| 熱伝導度(W/(m.k) ) | 0.14 cal/cm at 25℃ |
※結晶物性データは、結晶メーカーが公表しているものや理化学辞典などの文献から引用した数値です。
保証値ではありませんので参照程度でお願いします。
