4H-SiC 炭化珪素
SiCはSiに変わる、新たなパワーデバイス用半導体材料として注目を集めています。
Siに比べて、バンドギャップが約3倍であり、絶縁破壊電界強度が約10倍といった優れた物性値を有しております。
ほとんどのメーカーが(0001)on axiｓの製造を中止しており、SiCの結晶成長方向である（0001）4°off品のみの製造に移行しております。
| 商品仕様 | ||
|---|---|---|
| 導電性 | 4H-N | Semi-insurating |
| 抵抗値 | 0.015 - 0.028Ω·cm | ＞1E5 Ω·cm |
| サイズ | 5x5mm～20×20mm、φ2inch、φ3inch、その他 | |
| 厚み | 0.5mm、その他 | |
| 方位 | (0001)on-axis、(0001)4°off | |
| 表面仕上 | 両面鏡面(Si面 CMP、C面 光学鏡面) | |
| 納期 | 在庫品は即納可能。 在庫切れや受注生産の場合は4～6週間 (別途お問い合わせ下さい) |
|
| 備考 |
||
※その他の仕様はお問い合わせ下さい。
| 在庫・価格(税別)一覧表 | |||
|---|---|---|---|
| 品名・規格 | 数量 | 単価 | 合計金額 |
| 4H-SiC基板 (4H-Nタイプ) 10×10×0.5mm ※ (0001) on-axis 両面鏡面 （Si面：CMP C面：光学鏡面） ※2021年3月29日から0.35mmt→ 0.5mmtに変更 |
|
|
|
| 4H-SiC基板 (4H-Semi Insulating) 10×10×0.5mm (0001) on-axis 両面鏡面 （Si面：CMP C面：光学鏡面） ※在庫品限りの品 |
|
|
|
※価格は予告なく変更する場合がございます。
| 結晶物性 | |
|---|---|
| 物質名 | 炭化珪素 |
| 化学組成 | 4H-SiC |
| 結晶構造 | 六方晶系 |
| 格子定数 | a = 3.076Å c = 10.053Å |
| 密度 | 3.21^10³ kg / m3 |
| 融点 | 2200℃（分解する） |
| 育成方法 | MOCVD |
| 色 | 淡緑色 |
| 純度 | |
| 硬度(モース) | 9 |
| 劈開面 | |
| 誘電率 | e（11）= e（22）= 9.66 e（33）= 10.33 |
| バンドギャップ | 3.26 eV |
| 屈折率 | |
| 屈折率分散 | |
| 熱膨張率 | 4-5×10-6/k |
| 熱伝導度(W/(m.k) ) | 490 w/mk |
※結晶物性データは、結晶メーカーが公表しているものや理化学辞典などの文献から引用した数値です。
保証値ではありませんので参照程度でお願いします。
