・9×9×0.5mmは弊社が販売するHPHTダイヤモンド基板
・3.5×3.5×0.5mmは他社製のダイヤモンド基板
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Diamond（ダイヤモンド）
ダイヤモンドは従来、宝飾用、工業用に使用されてきましたが、最近 絶縁耐性、大きなバンドギャップ、熱伝導率の高さからワイドギャップ半導体としての用途に注目が集まっています。
クリスタルベースでは、大きく分けて3種類のダイヤモンド基板を販売しており、お客様の用途に合わせて選択頂けます。
1. CVD法（ヘテロエピ）ダイヤモンドは、色が僅かにグレーな透明で、お手頃な価格でご購入頂けます。
2. CVD法（ホモエピ）ダイヤモンドは、色が僅かにグレーまたはブラウンな透明で、お手頃な価格でご購入頂けます。
3. HPHT法（高温高圧法）ダイヤモンドは、高価ですが無色で結晶性も良好です。
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【NVセンタ】
ダイヤモンド中の窒素空孔中心（NVセンタ）とは、ダイヤモンド内の炭素が窒素（N：Nitrogen）に置き換わり、空孔（V:Vacancy）とペアになった格子欠陥のことです。
特に負に帯電した状態（NV-）の電子スピンは、光学的に初期化・読み出しが出来る性質を持ち、量子ビットや量子センサとして注目されています。
・弊社が販売する「HPHT法」のダイヤモンドについて
ご使用頂いた研究者様より、
”複数の(100)標準品において、偏光顕微鏡で確認出来る結晶ひずみは少ない。また、NVセンタの波長領域におけるダイヤモンド内部の発光は極めて少なく、今まで単一NV（たった一つの孤立したNVセンタ）すら観測されていない”
と評価されており、結晶性の高さを反映しています。
≪POINT≫
NVセンタが少ない、低発光なダイヤモンドを使用いただくことで、自身が生成したNVセンタだけを精密に測定出来る為、重要なメリットになります。
≪標準品の窒素・ホウ素含有量≫
（100） ： ＜100ppb
（111） ： ＜300ppb
※受注生産にて、窒素とホウ素の濃度調整が可能です。
お気軽に、ご相談・お問い合わせください。
| 商品仕様 | |||
|---|---|---|---|
| 成長方法 | CVD法(ヘテロエピ) | CVD法(ホモエピ) | HTHP法 |
| タイプ | Ⅱa | Ⅱa | Ⅱa |
| 色 | 薄いグレー | 薄い茶色 | 無色 |
| サイズ | ～5×5mm | ～15×15mm | ～12×12mm |
| 厚み | ～ 0.5mm | ||
| 方位 | (100),(110) | (100),(110),(111) | (100),(110),(111) |
| 窒素濃度 | 1ppm以下 | 8ppm以下 | (100)標準品：＜100ppb |
| ボロン濃度 | 10^16cm-3 | 測定限界以下 | (100)標準品：＜100ppb |
| 表面粗さ | Ra＜5nm （※CVDヘテロエピダイヤモンドに関しましては、Ra0.5nm程度の 片面プラズマ研磨／裏面通常研磨もあります。） |
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| 納期 | ◎(在庫有) | △ | ◎(在庫有) |
※その他の仕様はお問い合わせ下さい。
NEW
E&E Evolution社製プラズマ研磨技術を用いた超平滑CVDダイヤモンド基板の販売開始
このたび、E&E Evolution社が開発した最先端のプラズマ研磨技術を用い、
従来比約1/10の表面粗さ（Ra ≒ 0.5 nm）を実現した高精度研磨CVDダイヤモンド基板の取り扱いを
開始いたしました。
高精度な表面平坦性が求められる次世代デバイスや研究開発用途に最適です。
また、お持ちのダイヤモンド基板について受託加工も対応しております。
ダイヤモンド基板のプラズマ研磨のご相談は、ぜひお気軽にお問い合わせください。
（E&E Evolution社のダイヤモンド研磨は、弊社が専任の販売窓口となっております。）
ダイヤモンド基板 3×3×0.5mm (100)
両面鏡面（片面プラズマ研磨／裏面通常研磨）ノッチによる識別付
タイプ ： Ⅱa
合成方法 ： CVD法（ヘテロエピ）
※プラズマ研磨の表面粗さ：Ra 0.5nm程度
■ Ra（算術平均粗さ） 約5.0nmから0.5nm程度に低減しております。
■ 加工前後の結晶性も同程度の値を示しております。
■ パターニング加工も承ります。
お気軽にお問い合わせください。
| 在庫・価格(税別)一覧表 | |||
|---|---|---|---|
| 品名・規格 | 数量 | 単価 | 合計金額 |
| ダイヤモンド基板 3×3×0.5mm (100) 両面鏡面 タイプ ： Ⅱa 合成方法 ： CVD法 （ヘテロエピ） |
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| ダイヤモンド基板 5×5×0.5mm (100) 両面鏡面 タイプ ： Ⅱa 合成方法 ： CVD法 （ヘテロエピ） |
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| ダイヤモンド基板 3×3×0.5mm (100) 両面鏡面 （片面プラズマ研磨/ 裏面通常研磨） タイプ ： Ⅱa 合成方法 ： CVD法 （ヘテロエピ） |
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| ダイヤモンド基板 3×3×0.5mm (100) 両面鏡面 タイプ ： Ⅱa 合成方法 ： HPHT法 |
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| ダイヤモンド基板 5×5×0.5mm (100) 両面鏡面 タイプ ： Ⅱa 合成方法 ： HPHT法 |
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| ダイヤモンド基板 3×3×0.5mm (111) 両面鏡面 タイプ ： Ⅱa 合成方法 ： HPHT法 |
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※価格は予告なく変更する場合がございます。
| 結晶物性 | |
|---|---|
| 物質名 | ダイヤモンド |
| 化学組成 | C |
| 結晶構造 | 立方晶系 |
| 格子定数 | a=3.560Å |
| 密度 | 3.516～3.525 |
| 融点 | |
| 育成方法 | CVD法(ヘテロ、ホモ)、HPHT法 |
| 色 | |
| 純度 | |
| 硬度(モース) | 10 |
| 劈開面 | |
| 誘電率 | |
| 誘電損失 | |
| 誘電正接 | |
| 透過波長域(μ) | |
| 屈折率 | |
| 屈折率分散 | |
| 熱膨張率 | |
| 熱伝導度(W/(m.k) ) | |
※結晶物性データは、結晶メーカーが公表しているものや理化学辞典などの文献から引用した数値です。
保証値ではありませんので参照程度でお願いします。
