Si シリコン
Siは、パソコンや携帯端末などのさまざまな電子機器に使われる半導体デバイス用の基板として広く使用されています。
また硬度が高く、耐酸性も高いことから、さまざまな部品としても使用されています。
| 商品仕様 | |||
|---|---|---|---|
| タイプ | ノンドープ | N型 / P, As, Sbドープ | P型 / Bドープ |
| 抵抗値 | 1000Ω･cm以上 | 1-10Ω･cm、その他 | 1-10Ω･cm、その他 |
| サイズ | 5mm×5mm～20mm×20mm、φ2inch～φ6inch、その他 | ||
| 厚み | 280μm、 380μm、 525μm、その他 | ||
| 方位 | (100)、(110)、(111)、その他 | ||
| 表面仕上 | 片面鏡面、両面鏡面 | ||
| 納期 | 在庫品は即納可能 在庫切れや受注生産の場合は4～8週間 (別途お問い合わせ下さい) |
||
| 備考 |
|||
※その他の仕様はお問い合わせ下さい。
| 在庫・価格(税別)一覧表 | |||
|---|---|---|---|
| 品名・規格 | 数量 | 単価 | 合計金額 |
| Si基板 ノンドープ 10×10×0.525mm (100) 片面鏡面 抵抗率：1000 Ω・cm以上 |
|
|
|
| Si基板 ノンドープ 10×10×0.525mm (110) 片面鏡面 抵抗率：1000 Ω･cm以上 |
|
|
|
| Si基板 ノンドープ 10×10×0.525mm (111) 片面鏡面 抵抗率：1000 Ω・cm以上 |
|
|
|
| Si基板 Ｎ型/Ｐドープ 10×10×0.525mm (100) 片面鏡面 抵抗率：1 ～10 Ω・cm |
|
|
|
| Si基板 Ｎ型/Ｐドープ 10×10×0.525mm (110) 片面鏡面 抵抗率：1 ～10 Ω・cm |
|
|
|
| Si基板 Ｎ型/Ｐドープ 10×10×0.525mm (111) 片面鏡面 抵抗率：1 ～10 Ω・cm |
|
|
|
| Si基板 Ｐ型/Ｂドープ 10×10×0.525mm (100) 片面鏡面 抵抗率：1 ～10 Ω・cm |
|
|
|
| Si基板 Ｐ型/Ｂドープ 10×10×0.525mm (111) 片面鏡面 抵抗率：1 ～10 Ω・cm |
|
|
|
| Si基板 ノンドープ φ4inch×525µm (100) 片面鏡面 抵抗率：1000 Ω・cm以上 【梱包：枚葉ケース】 |
|
|
|
| Si基板 ノンドープ φ4inch×525µm (100) 片面鏡面 抵抗率：1000 Ω・cm以上 【梱包：ウェハBOX】 |
|
|
|
| Si基板 ノンドープ φ4inch×525µm (111) 片面鏡面 抵抗率：1000 Ω・cm以上 【梱包：枚葉ケース】 |
|
|
|
| Si基板 ノンドープ φ4inch×525µm (111) 片面鏡面 抵抗率：1000 Ω・cm以上 【梱包：ウェハBOX】 |
|
|
|
※価格は予告なく変更する場合がございます。
| 結晶物性 | |
|---|---|
| 物質名 | シリコン |
| 化学組成 | Si |
| 結晶構造 | 立方晶系ダイヤモンド型構造 |
| 格子定数 | a = 5.4301Å |
| 密度 | 2.33 g/cm3 |
| 融点 | 1414 ℃ |
| 育成方法 | ＣＺ法 FZ法 |
| 色 | 濃青灰色 |
| 純度 | 99.999%以上 |
| 硬度(モース) | 7 |
| 劈開面 | |
| 誘電率 | 11.9 |
| 導電タイプ/ドープ 抵抗率 |
Undoped/Nタイプ ： 1000 Ω・cm以上 Bドープ /Pタイプ ： 0.001 ～ 20 Ω・cm Pドープ /Nタイプ ： 0.001 ～ 20 Ω・cm |
| 誘電正接 | |
| 透過波長域(μ) | |
| 屈折率 | 3.35 |
| 屈折率分散 | |
| 熱膨張率 | |
| 熱伝導度(W/(m.k) ) | |
※結晶物性データは、結晶メーカーが公表しているものや理化学辞典などの文献から引用した数値です。
保証値ではありませんので参照程度でお願いします。
